HORIBA GD-Profiler 2™批发价格_采购报价_参数型号

HORIBA GD-Profiler 2™ 简介

产品参数

产品品牌

HORIBA堀场

产品类型

光谱仪

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售后服务

完善

产品简介

GD-OES 是一种可对层状材料进行超快速元素深度剖析技术，同时能以纳米级深度分辨率对所有元素和厚度进行定量测量。HORIBA 的脉冲射频 GDOES 仪器配备差分干涉轮廓术(DiP)，是材料研究和工艺开发的理想表征工具。创新的脉冲射频源可对各种固体样品进行最佳性能的深度剖析，从最初几纳米到超过 150 微米。采用专利的超快速溅射技术(UFS)，高分子材料可轻松实现溅射。此外，该源还可用于制备扫描电子显微镜(SEM)所需的样品表面。可测量所有元素，包括氢、氘、锂、碳、氮、氧等。专利的差分干涉轮廓测量技术(DiP)可直接测量深度随时间变化的函数关系，具有纳米级精度，且与辉光放电(GD)分析同步进行。所有 HORIBA 辉光放电仪器均采用专利的高动态范围检测器(HDD)，可实时自动优化灵敏度，既能分析单层中的痕量元素，又能无损检测第二层中的主量元素，无需任何调整

HORIBA GD-Profiler 2™ 详情介绍

射频发生器是 E 类标准，对稳定性和溅射坑形状都进行了优化以满足实时表面分析。
射频源可以分析传统和非传统镀层和材料，对于易碎样品，还可以使用脉冲式同步采集优化测试。
从 110nm到 800nm 同步全光谱覆盖，包括分析 H、O、C、N 和 Cl 的深紫外通道。
HORIBA 研发的离子刻蚀型全息光栅具有高的光通量和光谱分辨率，光学效率和灵敏度都表现优良。
HDD 探测器兼具检测速度和灵敏度。
内置的微分干涉仪DIP可实时测量溅射坑深度和剥蚀速率。
宽敞简洁的大样品仓易于装卸样品，操作简单。
QUANTUM™ 软件配置了Tabler 报告编写工具。
专利激光中心定位装置（专利号：Fr0107986/国际专利种类：G01N 21/67）可定位样品测试位置。

HORIBA 的辉光放电光谱仪可以选配单色仪，实现n+1元素通道的同时也提高了设备的灵活性。

HORIBA GD-Profiler 2™产品规格

辉光源结合超快速、高分辨的同步光学器件，可对导体、非导体和复合材料进行快速元素深度剖析。

适用于薄膜和厚膜——从纳米到数百微米，且具有纳米级深度分辨率。

典型应用领域包括光伏、冶金、LED 制造、腐蚀研究、有机和微电子、材料研发、沉积工艺优化、PVD、CVD、等离子涂层、汽车、锂电池等。

不需要超高真空。

使用高动态探测器可以测量所有感兴趣的元素（包括 H、D、O、Li、Na、C、N 等）。

可选附件单色仪配备的也是高动态探测器，可在image模式下做全谱扫描，极大的增加了设备的灵活性。

脉冲式射频源，可选择在常规射频模式和脉冲式射频模式下工作，且可全自动匹配。

辉光源采用差速双泵真空系统，可为SEM制备样品。

内置等离子清洗功能。

超快速溅射模式UFS可快速分析聚合物和有机材料。

内置的微分干涉仪DIP，可直接在线测定深度。

用于异形样品测试的各种铜阳极和附件。

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